超低能(E<50keV)d-d核聚变反应在不同金属中的电子屏蔽效应研究

基本信息
批准号:10675056
项目类别:面上项目
资助金额:38.00
负责人:王铁山
学科分类:
依托单位:兰州大学
批准年份:2006
结题年份:2009
起止时间:2007-01-01 - 2009-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:王瑞平,张宇,彭海波,韩运成,羊佳,徐鹤,王新华,程锐,杨桂霞
关键词:
电子屏蔽效应等离子体物理超低能轻核聚变反应天体物理
结项摘要

本工作旨在研究在不同金属材料中,超低能d-d核聚变反应截面受靶物质电子屏蔽效应影响而发生改变的现象,进而认识天体物理中物质嬗变过程的复杂性和特殊性,并为核聚变、核武器研究提供超低能区的核数据。固体中、特别是金属里存在的大量自由电子可降低靶核的库仑位垒,进而增强低能聚变反应的截面。这一现象可引起对现有天体物理理论的再认识,和对聚变理论和核武器的设计的必要修正。该项目是国际热点、国内空白课题。本课题研究内容不仅涉及到载体材料相关性,还将探索同种材料中束流密度和靶温度对电子屏蔽效应的影响,后两项内容是独创的物理思路。技术路线建立在申请单位现有的实验设备基础上,并已开展了较长时间的前期研究;已经取得了一些有价值的研究结果,并建立了国际合作关系,可借助国内、国际合作提升数据质量。项目组成员年轻、精干,有多名研究生。在开展前沿科学研究的同时还可培养锻炼青年科技人才。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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