碳化硅晶体生长过程中的流场及应力场模拟
基本信息
批准号：10472126
项目类别：面上项目
资助金额：29.00
负责人：陈启生
学科分类：
依托单位：中国科学院力学研究所
批准年份：2004
结题年份：2007
起止时间：2005-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：卢靖,张自兵,刘亚超
关键词：
计算流体力学晶体模型化材料力学材料制备
结项摘要
本研究将利用基于曲线有限体积法的输运及相变模型，对碳化硅晶体生长过程中的电磁场、流场、温度场、热应力分布以及塑性变形进行模拟。结合我们自己研制的碳化硅生长炉，研究热应力及塑性变形等对晶体中微管及位错形成的影响，以及流体流动、热场分布、相变、化学反应、汽体组分及分压等对结晶动力学的影响。碳化硅单晶可用于制造在高温及强辐射等极端条件下工作的大功率高频电子及光电子器件，例如微波及雷达器件。碳化硅中的微管
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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