Si基光电子学关键器件基础研究
基本信息
批准号：60336010
项目类别：重点项目
资助金额：200.00
负责人：王启明
学科分类：
依托单位：中国科学院半导体研究所
批准年份：2003
结题年份：2007
起止时间：2004-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：余金中,黄美纯,葛惟昆,吴健,成步文,陈松岩,左玉华,罗丽萍,张建国
关键词：
光源与光开关Si基材料能带工程
结项摘要
发展Si基光电子学为长远目标，研究突破Si天然材料间接带结构和非极性立方反演对称的固有局限，为研制出人工优化改性的高效光源和高速光开关，为Si基光子学的发展和微电子芯片光互连的实现打下坚实的基础。.以一维－三维的纳米结构长周期量子阱、超晶格为研究核心，运用能带工程实现对Si材料的介观改性，大幅度提高发光效率和pockel电－光效应。.理论框架将建立在第一性量子力学基础上，对异质介观结构进行优化设计
项目摘要
项目成果
{{index+1}}
{{i.achievement_title}}
{{i.achievement_title}}
DOI：{{i.doi}}
发表时间：{{i.publish_year}}
暂无此项成果
数据更新时间：2023-05-31
其他相关文献
1
High Performance Van der Waals Graphene-WS2-Si Heterostructure Photodetector
High Performance Van der Waals Graphene-WS2-Si Heterostructure Photodetector
DOI：10.1002/admi.201901304
发表时间：2019
2
基于限流级差配合的城市配电网高选择性继电保护方案
基于限流级差配合的城市配电网高选择性继电保护方案
DOI：10.7500/AEPS20180327002
发表时间：2019
3
组蛋白去乙酰化酶在变应性鼻炎鼻黏膜上皮中的表达研究
组蛋白去乙酰化酶在变应性鼻炎鼻黏膜上皮中的表达研究
DOI：10.16066/j.1672-7002.2021.06.013
发表时间：2021
4
强震过程滑带超间隙水压力效应研究:大光包滑坡启动机制
强震过程滑带超间隙水压力效应研究:大光包滑坡启动机制
DOI：
发表时间：2020
5
汽车侧倾运动安全主动悬架LQG控制器设计方法
汽车侧倾运动安全主动悬架LQG控制器设计方法
DOI：
发表时间：2017
王启明的其他基金
批准号：81503002
批准年份：2015
资助金额：17.90
项目类别：青年科学基金项目
批准号：31770018
批准年份：2017
资助金额：65.00
项目类别：面上项目
批准号：49472095
批准年份：1994
资助金额：12.00
项目类别：面上项目
批准号：30700001
批准年份：2007
资助金额：16.00
项目类别：青年科学基金项目
批准号：48970090
批准年份：1989
资助金额：3.50
项目类别：面上项目
批准号：11173035
批准年份：2011
资助金额：58.00
项目类别：面上项目
批准号：11673040
批准年份：2016
资助金额：70.00
项目类别：面上项目
批准号：31570016
批准年份：2015
资助金额：61.00
项目类别：面上项目
批准号：68676033
批准年份：1986
资助金额：5.00
项目类别：面上项目
批准号：30970013
批准年份：2009
资助金额：25.00
项目类别：面上项目
批准号：10778625
批准年份：2007
资助金额：26.00
项目类别：联合基金项目
相似国自然基金
1
Si基新型相变材料（Si-Sb-Te）及其器件基础研究
批准号：61076121
批准年份：2010
负责人：吴良才
学科分类：F0401
资助金额：33.00
项目类别：面上项目
2
利用蚀坑调制应力的Si基应变器件
批准号：61574028
批准年份：2015
负责人：罗谦
学科分类：F0404
资助金额：64.00
项目类别：面上项目
3
单光子探测器电子学关键器件的ASIC芯片研究
批准号：61401422
批准年份：2014
负责人：梁福田
学科分类：F0110
资助金额：24.00
项目类别：青年科学基金项目
4
Si基GaN增强型电力电子器件研究
批准号：61534007
批准年份：2015
负责人：刘新宇
学科分类：F0404
资助金额：300.00
项目类别：重点项目