p-i-nZnSe-ZnCdSe组合超晶格的电光调制

用低压MOCVD技术在CaAs衬底上外延生长了p-i-n ZnSe/ZnCdSe组合超晶格，通过控制ZnCdSe势阱层的生长时间和组份Cd的含量来获得二个基态激子能级。在该组合超晶格的发光光谱上，可观测到三个发光谱带，分别来自该样品的浅阱和深阱，通过变密度激光的发光光谱和时间分辨谱，证实了该样品中存在载流子注入效应。深入研究了该样品中的激子与声子的相互作用。首次观测到该样品中的光泵受激发射。详细地研究了该样品的电光调制反射谱，首次发现该样品在室温下有良好的电光调制特性；还研究了该样品中势垒高度的影响，发现了势垒高不易受电场调制；势垒低则易受电场调制。因此可利用它在同一器件中实现多波段电光调制。