深入晶体生长动力学的研究,找到了包晶反应的形成物破坏单晶生长的规律,获得一套生长各种取向的单晶的最佳生长条件。打破了本学科权威J:ll的一项论断。成为目前国际上唯一能够生长这一单晶的单位。生长中普遍出现的孪晶界,富稀土杂相,杂相和魏氏组织等四种宏观缺陷在单晶生长阶段完全得以消除。[111]取向单晶中无须预应力即可达到最大磁致伸缩值,特殊配料的单晶,磁致伸缩超过2300ppm,是目前国际上已有报道的最高数值。美国Edge公司的样品磁致伸缩仅达1600ppm。我们的单晶样品在所有重要参数上均超过美国多晶产品。建立了广泛的国际合作关系。器件研制工作也取得了进展。在国际核心刊物(SCI收录)上共发表论文14篇。
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数据更新时间:2023-05-31
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