理论上优化设计将能隙为1.8eV的MIS(金属-绝缘体-半导体)太阳电池和能隙为1.424 eV的GaAs(砷化镓)PN结-高低结太阳电池级联构成的与太阳光谱匹配更好、新型、高效的太阳电池芯苛降绯刂械慕缑嫖锢砦侍夂徒缑媪嵛侍狻J笛樯霞右允迪郑⒔心偷缱印⒅首臃昭芯浚夜教煊τ锰峁┬乱淮判愫教斓缭吹姆⒌缙骷
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数据更新时间:2023-05-31
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