ZnO基稀磁半导体磁性机理研究新途径

基本信息
批准号:50772122
项目类别:面上项目
资助金额:30.00
负责人:陈之战
学科分类:
依托单位:中国科学院上海硅酸盐研究所
批准年份:2007
结题年份:2010
起止时间:2008-01-01 - 2010-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:刘学超,张华伟,陈博源,张涛,陈晓娟,刘果果
关键词:
磁性机理极化光稀磁半导体ZnOSpinLED
结项摘要

目前ZnO基稀磁半导体(DMS)研究存在很多问题。实验上对于同一种材料采用相同的制程往往获得不同的磁性结论;虽然磁性机理理论有多种,但均有局限性,用不同理论解释ZnO基稀磁半导体的磁性机理往往发生矛盾;理论研究和实验结论往往不能统一。基于此,本课题将从非磁性金属离子掺杂ZnO基薄膜材料制备和ZnO基异质结构的Spin-LED原型器件制作两方面,提出新的研究磁性机理的方法。非磁性金属离子掺杂可以避免磁性金属或氧化物产生第二相造成的非本征铁磁性;Spin-LED中极化光的获得和发光机理的研究是判定DMS材料铁磁机理最直接最有效的方法。通过项目的实施,澄清目前稀磁半导体磁性机理研究中许多有争议的科学问题,发展有特色的ZnO基稀磁半导体磁性理论,为稀磁半导体材料的应用打下基础。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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