硅基δ掺杂量子阱红外探测器的研制

本项研究围绕着硅基δ掺杂量子阱红外探测器的研制工作展开。用分子束外延方法生长了多种硅基δ掺杂量子阱材料，并对这些材料进行了各种结构测试及光学和电学性质测试，确认形成了符合设计要求的δ掺杂层，并观察到该层对空穴载流子的量子限制效应，从而证明其具有δ掺杂量子阱的性质。将上述材料用台面工艺制成红外探测器件结构，发现纯硅δ掺杂量子阱材料制成的器件有很大的漏电流，不能在液氮温区工作；而将δ掺杂量子阱放在锗硅合金层中，则可利用锗硅合金与硅间的价带失配来有效抑止漏电流，使探测器达到液氮温区下工作的目的。