磷化铟镓－砷化镓ｐ－沟道二维空穴气异质场效应晶体管

在国内外第一次提出利用具有较大异质结价带不连续性△Hv的InGaP/GaAs异质系统,并根据与HEMT类似的方法设计具有二维空穴气(2DHG)效应的InGaP/GaAsP沟HFET，以改善空穴载流子场效应晶体管的电性能。通过对几种异质层结构的分析与对比实验，确定出一种目前最适合的InGaP/GaAs pHFET的异质结构和参数，并用GS-MBE及MOCVK外延技术生长了用于研制的功能材料。为了正确获得InGaP/GaAs异质结构的△Ev值，不采用在多数研究人员通过间接测试的办法，使用C-V分布方法在专门设计制作的p-p同型异质结样品上直接测得△Ev=316meV的可靠数据。运用上述外延材料，通过解决器件制造中的特殊工艺难点，研制的InGaP/GaAs pHFET，室温下饱和的电流密度达61mA/mm， 比国外报道的最好的数据大50%，室温跨导达到40mS/mm，为此新型器件在n/p CHFET逻辑技术中的应用展示极好前景。