采用MCVD法研究了掺锗光敏光纤的制备工艺,通过锗硼共掺杂,优化了光纤结构参数,克服了高掺杂锗硼造成的预制棒炸裂问题,在沉积过程中,通过掺氢及还原缩棒气氛,在芯中形成一定量的羟基(OH),增加二价锗的浓度,使光敏性得到了明显提高。并免去了光纤必须经高压载氢才有较好光敏性的复杂工序。分析了氧化锗浓度,锗的价态、羟基对光敏性的影响及紫外写入时光敏机理。用248nm波长准分子激光进行写入光栅实验,获得了光栅反射率98.2%的结果。
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数据更新时间:2023-05-31
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