VLSI金属互连电迁移失效的多参量表征方法

金属互连可靠性已成为阻碍深亚微米VLSI尺度进一步缩小的瓶颈之一。无论是目前仍普遍应用的Al互连，还是新发展的Cu互连,电迁移都是主要的失效机制。传统的单参量表征技术不能满足日益复杂化的互连技术可靠性评估的需求。本项目将探索新的多参量电迁移表征方法，在电阻和噪声功率谱密度表征参量的基础上，构建基于噪声子波分析的电迁移表征新参量，建立能对电迁移各阶段进行统一描述的物理模型，筛选电迁移表征参量集合及参量提取方法，为针对VLSI金属互连可靠性的快速评估和优化设计奠定基础。