电子束激发非晶半导体薄膜分形晶化

在Ge-Au（含Au达22at%）和Au的双层膜中发现一种大晶粒热化引起的缩聚型分形，用微机对此类分形形成机制进行了模拟。获得了与实验结果一致的分叉图形。新的分形形成机制主要由透射电子显微象和电子衍射环的结果得以肯定。为了实现电子束激发非晶态晶化，在液氮冷指冷却的衬底上获得了高度亚稳的含Au高达60at%的Ge-Au非晶薄膜，在透射电镜中会聚电子束后获得尺寸最小达0.3μm的晶化区。晶化区尺寸主要由亚稳的Ge0.4Au0.6四方晶粒组成。在国产KYKY扫描电镜中用25ReV电子束在此膜上写入的亮斑最小尺寸为0.1μm，具有高密度存储的潜在应用前景。对随机逐次成核的分形形成机制也进行了计算机模拟。