利用实时Mueller矩阵椭偏术对薄膜生长动态过程的实时研究

利用旋转双补偿器技术建立实时Mueller矩阵多通道光谱椭偏仪，做为最先进的实时偏振光测量仪器，将通过实时多通道Mueller矩阵光谱椭偏术在1秒内得到光子能量范围（1.5-4.0eV）测量材料Mueller矩阵的16个元素，仪器结构采用光源，起偏器，旋转补偿器，待测样品，旋转补偿器，检偏器，及光谱探测系统。补偿器在不同频率旋转以便获得高谐振频率从而一次性从原始数据中通过傅立叶变换获得所有矩阵元。整个系统将可用来测试利用各向同性，非各向同性材料光学性质在材料薄膜制备过程中的变化，从而了解薄膜生长机制及达到控制薄膜生长过程。本项目将对高速硅薄膜沉积过程进行实时光学测量，提供薄膜生长不同阶段：成核、孵化、晶粒互连，长大和稳态等表面结构的动态变化的信息。获得微晶硅薄膜生长过程和生长机制，及微结构的变化，给出生长参数与薄膜生长性质之间的关系，该仪器的建立也将改变我国长期依赖进口的局面。