一种新型振荡用双向负阻器件的研制

我们采用模拟电路实验的方法，证明了用两个同极性（即NPN或DNP型）的晶体管均能获得S型负阻特性，并对此进行了试验分析和理论研究。然后在此基础上利用硅外延片采用半导体工艺方法研制成功一种新型双向S型负阻器件。本项研究成果具有一定的科学意义，它不同于美籍华人电子专家蔡少棠博士的猜想定理其结构简单新颖，国内外末有，实属我国首创该器件开关速度很快，其脉冲上升时间达到纳秒级。还可应用在无需加任何储能元件就可产生高频脉冲振荡电路中。