解释了稳定化氧化锆本征晶界电阻的物理本质,并指出了复阻抗分析法及单位晶界面积电阻概念的局限性;讨论了稳定剂及杂质对氧化锆晶界离子导电性的影响,稳定剂在晶界的偏聚增大了晶界电阻,而不同类型的杂质则对晶界电阻有不同的影响;探索了以提高晶界离子导电性为目的的氧化锆晶界工程,总结了氧化铝及五氧化二铌对晶界性能的影响,分析了晶界空间电荷层及晶界相对晶界电阻的贡献,发现晶界相在晶界电阻中起主要作用,认为氧化锆晶界工程的重点应该在于晶界相;分析了各类型晶界对氧化锆氧传感器输出电势的影响;研究了外加直流电压及五氧化二铌对氧化锆显微组织、晶体缺陷及电性能的影响。
{{i.achievement_title}}
数据更新时间:2023-05-31
氟化铵对CoMoS /ZrO_2催化4-甲基酚加氢脱氧性能的影响
基于Pickering 乳液的分子印迹技术
高度近视黄斑裂孔内界膜的超微结构及生物力学性能研究
Ag-In-Zn-S四元半导体纳米晶的可控制备及其在电致发光二极管中的应用
亲锂的三维二硫化锡@碳纤维布用于稳定的锂金属负极
锆酸盐基电解质陶瓷的晶界设计与性能研究
高晶界比CeO2/BaCeO3基复合电解质制备及晶界传导机制研究
氧化锆固体电解质电池失效原因及可逆性的研究
氧化铈基纳米功能陶瓷的晶界设计与电性能研究