面向SOC的高性能纳米硅单电子器件研究
基本信息
批准号：90607022
项目类别：重大研究计划
资助金额：30.00
负责人：龙世兵
学科分类：
依托单位：中国科学院微电子研究所
批准年份：2006
结题年份：2008
起止时间：2006-07-01 - 2008-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：陈宝钦,宋希明,牛洁斌,闫杰,涂德钰,韩敬东,李志刚,王琴,商立伟
关键词：
Monte纳米硅单电子存储器单电子晶体管Carlo模拟
结项摘要
本项目主要利用纳米晶体硅薄膜材料所具有的量子输运及量子振荡特性，开展基于纳米硅材料的单电子器件及其理论模拟研究工作。主要研究内容包括：小晶粒尺寸、高密度、高电导率、均匀的纳米硅薄膜材料的制备和物性分析、高性能（小尺寸、低功耗、高速、高集成度、高工作温度）纳米硅薄膜点接触单电子晶体管（SET）的制作和特性测试、纳米硅浮栅单电子存储器的制作和特性测试、硅基单电子器件的Monte Carlo模拟。本项目
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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