基于纳米材料的自旋极化电子的场发射机理研究

建立以铁磁金属为基础的纳米系统场致电子发射模型，应用非平衡格林函数方法结合量子隧穿电流理论，建立这些新型材料场致电子发射的基本理论，特别是自旋极化的场发射理论．发展研究纳米材料场致发射物理特性的计算方法，研究这些新型材料的场致电子发射的机制和新的物理特性，包括发射电子的自旋极化度，I-V特性，温度效应和发射电子的能谱分布，以及系统尺寸，表面，界面，缺陷，掺杂和吸附对场发射行为的影响。这一研究一方面揭示铁磁金属为基础纳米系统场致电子发射新的物理特性，另一方面，为发展新型的自旋极化的场发射电子源提供理论依据，和优化的物理参数和技术条件，为设计出新型的高效率高性能的自旋电子学电子器件提供理论基础。