飞秒光脉冲诱导电沉积Ni-pd纳米膜及其催化性能研究

首次在室温下用Nd：rAG调Q激光（脉宽7ns，三波长）在P-Si半导体上诱导沉积Ni-Pd纳米膜，改变激光参数和照射时间，得到数十至数百纳米膜厚，比常规化学沉积温度降低50至60度，且沉积速率高。用STM、SEM、XRD、XPS、和DSC现代表面测试手段研究薄膜的形貌、组成、结构、厚度及与膜生成过程、催化析氢析氢性能等的关系，表明激光诱导膜的析氢性能比常规法高出许多。采用计算机智能系统进行控电位沉积，得到良好结合力的薄膜，其原因是Ni Pd在Si基中的扩散所致。少量P的加入有利于内应力的抑制和表面裂纹的减少。NiPd P膜尔是良好的催化剂，其非晶态在三百度晶化。观察到表面晶状结构系纳米团簇粒子，人为地控制其大面积生长，具有重要的理论和实际意义。