金属硫属化物/有机胺杂化半导体的薄膜制备、掺杂与光电性质研究

金属硫属化物/有机胺杂化化合物是一类新型的有序-强键结合的杂化半导体，在新一代光电子薄膜器件的研究与开发中有着重要的研究价值。本申请旨进行此类材料的薄膜制备、掺杂与光电性质研究。通过设计合成易溶性或低熔点的二元、三元杂化物，采用旋涂法、熔融法和溶剂热法在不同衬底上获得刚性或柔性杂化薄膜；通过合成多种无机层结构并进行无机层离子掺杂和有机胺层荧光分子掺杂，调节能带结构和光电性质，获得性能优良的杂化薄膜材料；结合理论计算与实验结果，分析此类杂化物及掺杂杂化物的电子结构和光电性质，探索杂化作用对光电性质的影响，研究杂化薄膜的结构、形貌特点及成膜机制，在晶体结构和薄膜层次上揭示此类杂化材料的构-效关系。为此类材料在光电子学领域内的开发与应用提供理论和实验依据。