四族和三、五族纳米晶体的光学特性研究

基本信息
批准号:69577017
项目类别:面上项目
资助金额:11.00
负责人:汪兆平
学科分类:
依托单位:中国科学院半导体研究所
批准年份:1995
结题年份:1998
起止时间:1996-01-01 - 1998-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:赵学恕,李国华,葛玉茹,刘南竹
关键词:
光致发光纳米晶体拉曼散射
结项摘要

本项目研究了纳米Si和纳米GaAs,GaP样品的光致发光和拉曼散射特性,提出载流子感应的动态应变效应解释了实验结果。研究了用硅离子注入SiO2层方法制备的纳米硅的发光机理。对自发有序的Ga0.5In0.5p合金和InAs/GaAs亚单层结构的静压光谱研究结果表明,Ga0.5In0.5P合金的光致发光峰能量的降低和娄GaPLO声子模能量的增加可以作为自发有序程度的度量,并且薄量子阱模型仍然可适用于InAs/GaAs亚单层结构。此外,还合作研究了GaAs/AlGaAs量子点阵,纳米硅,纳米铕和多孔硅的发光特性。研究结果深化了对纳米晶体结构物性的认识,为纳米晶体发光器件的发展提供有用的信息。三年中获得中国科学院自然科学奖二等奖一项,三等奖一项,在国内外核心学术刊物上发表论文16篇。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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