具有室温低场磁电阻效应的过渡金属氧化物信息存储材料

室温低场磁电阻效应是磁电阻材料得到实际应用所必须解决的关键问题，例如，具有庞磁电阻效应的稀土锰基氧化物如能获得在室温附近低场灵敏的磁电阻性能，则可用于制作计算机硬盘的读出磁头，可望大幅度提高目前的硬盘存储空间，发展新型超高密度磁记录技术。本课题通过在具有较高居里温度的钙钛矿结构的锰基氧化物如La0.7Sr0.3MnO3及双钙钛矿结构的Sr2FeMoO6的基础上，构筑无机-无机、无机-高分子等两相复合体系，改变电子输运行为；在钙钛矿结构的不同晶位进行特殊的离子掺杂，造成由于离子大小欠匹配或错位而导致的两结构相的有序共存，从而致使铁磁与反铁磁（电荷有序化）的磁相分离，以调节相转变温度；以及合成一系列具有非计量比的过渡金属氧化物进行优选，最终获得在室温附近较低磁场下具有显著磁电阻效应的材料，为在信息存储中的应用打下基础。