半绝缘磷化銦单晶研究
基本信息
批准号：60276008
项目类别：面上项目
资助金额：18.00
负责人：孙同年
学科分类：
依托单位：中国电子科技集团公司第十三研究所
批准年份：2002
结题年份：2004
起止时间：2003-01-01 - 2004-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：徐永强,孙聂枫,杨光耀,谢德良,刘二海,周晓龙
关键词：
磷化铟半绝缘直径
结项摘要
半绝缘磷化铟是毫米波高端的首选材料，也是光电集成必须材料。晶体直径的加大是提高晶体使用效率的必然发展趋势。晶体直径加大容易造成晶体的必然发展趋势。晶体直径加大容易造成晶体缺陷密度加大，很难保证其晶体完整性，而且由于半绝缘磷化铟中所含杂质、缺陷的行为复杂，保证晶片的均匀性和重复性也是需要解决的关键技术。因此半绝缘磷化铟的大直径晶体研究意义重大。.
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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