电泳沉积法制备纳米磁电多铁性复合薄膜的研究

磁电多铁性体不仅具有单一铁性（铁电性、铁磁性）材料的特性，且存在二者相互耦合的特殊性能。利用其制作存储器件，可实现电写入磁读出，使存储速度发生革命性的提高。因此研究开发室温磁电耦合性能优良的多铁性材料是一项具有科学意义和应用价值的课题。自然界中可用于室温工作的单相多铁体材料十分稀少，且耦合性能很差，至今尚未突破，因此开发复合薄膜多铁体成为当前国内外研究热点。国际上制备复合多铁体多采用脉冲激光沉积、溶胶－凝胶等方法，这些方法的缺点是难以控制化学配比并很难获得大尺寸的薄膜。本研究采用电泳沉积方法制备出性能优良、结构致密的BaTiO3(PZT等)/CoFe2O4（REMnO3等）多层复合薄膜多铁性体。其优点是设备简单、成本低廉、生长速度快，通过电流、电压调整可以在纳米尺度上控制膜层结构，可获得大面积的均匀复合膜。膜层厚度在100纳米～1毫米可控；磁电耦合系数>5000Mvocm-1oOe-1。