本课题主要工作:1.改造了常规PECVD设备,使之适合均匀且大面积生长a-Si/SiOx系统,降低了放电功率,大大提高了薄膜质量。2、首次用PECVD方法制备了Si/SiOx自镶嵌Si量子点系统,其反应气源为不同配比的SiH4和N2O,比较了不同淀积工艺参数和方案的实验结果并进行了优化实验。3.应用喇曼散射,红外吸收,高分辨透射电镜研究了样品的原子排列和键合状态,首次发现a-SiOx:H系统中存在a-Si原子团,高温退火后获得了镶嵌在SiO2中的纳米结构。4。实现了强的室温光致发光,研究了发光与退火温度的关系,采用量子限制模型对发光机制给出了明确解释。5.研究了nc-Si/SiO2多层膜纵向I-V特性,对其物理机制和应用可能性进行了初步探讨。
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数据更新时间:2023-05-31
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