半绝缘多量子阱光折变材料及其特性研究

本项目利用分子束外延方法生长Ⅲ-V族化合物半导体AlGaAs/GaAs多量子阱光折变材料，并利用生长后工艺对材料进行处理，改变其电、光学性质，探索其在光折变器件方面的应用。我们提出了一个改进了的低温生长方法，直接生长半绝缘的多量子阱光折变材料。该方法生长的材料具有比其它方法制备出的光折变材料更优异的性能。利用该材料制备出工作在平行电场配置下的光折变器件。用二波耦合及简并四波耦合方法研究了其光折变效应。所得到的结果达到国际一流水平。此外，利用该平行电场配置的光折变器件已成功地实现了图像转换及音频信号的实时转换。