调制n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSeII型量子阱结构中空间间接发光跃迁的起源
基本信息
结项摘要
本项目以II-VI族宽禁带化合物半导体组成的ZnSe/BeTe/ZnSe II型量子阱结构为研究对象，对其光学特性进行系统深入的物性和机理研究。设计、制备不同结构尺寸、不同掺杂浓度的样品，在不同实验条件（如变温、电场、强磁场等）下分别对其I型跃迁和II型跃迁进行各种光谱测量。通过分析I型跃迁的吸收(反射)光谱，来探讨电子掺杂的有效性，并由回旋共振吸收光谱估计其电子浓度。通过解析I型跃迁和II型跃迁的时间分辨发光光谱，分别获取其发光寿命及孔穴从ZnSe层到BeTe层的逃逸时间。仔细研究、分析各种实验结果，确立反映I型跃迁和II型跃迁相互关联的理论模型和速率方程式。最终阐明II型发光跃迁的起源和物理机制。本项目的研究将有助于对II型量子阱的光电子现象认识的深入。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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