Si为衬底,沉积LiF/Al为阴极.用Alq3为电子传输层.制备并选择空穴输运材料TPD、NPB、BeBq2、LiBq4及Rubrene.真空蒸发作为盖帽层.渐射ITO膜形成阳极.试制出与N沟道场效应晶体管及其他电子元件可集成在同一块Si片上的Si基有机多色元器件。该研究为光电子元件集成开辟了一个崭新的领域;对有机材料及光电子集成器件的发展提供广阔的应用前景。
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数据更新时间:2023-05-31
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