研究了导电聚吡咯的质子酸掺杂结构及其形成机理,确认这种结构是由于吡咯环上β-C上的质子化引起的,发现这种结构的形成与聚合电解液中的溶剂、阳离子、支持电解质浓度,表面活性剂添加剂以及聚合反应温度密切相关。进一步深入研究了吡咯电化学氧化聚合条件,聚合反应机理和反应动力学,发现使用非离子表面活性剂OP10、增加支持电解质浓度可制备出高力学强度(127MPa)的导电聚吡咯膜。提出了阴离子参与的吡咯电化学聚合新机理。推导出了吡咯电化学聚合反应动力学方程,这一方程所表达的反应速度(聚合反应电流)与吡咯单体浓度和支持电解质阴离子浓度的关系与实验结果完全符合。用EQCM方法阐明了导电聚吡咯两种掺杂结构两步还原过程的机理。
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数据更新时间:2023-05-31
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