我们利用高压载氢敏化技术对普通单模光纤进行敏化,然后在光纤侧面,采用相位版技术,用193nm的ArF准分子激光写入光栅,获得波长为1.55μm、1.53μm,反射率为70%~96%,线宽为0.2nm~0.6nm的光纤光栅;采用本导体激光器与上述单模光纤相位光栅外腔主动锁模技术,获得波长为1.53μm,脉宽为15PS,重复频率为2.13GHz,峰值功率为49mW,线宽为0.2nm,波形为双曲正割形半导体光孤子源;另外,还获得波长为1.55μm,脉宽为13.5PS重复频率为1.94GHz,峰值功率为52mW,线宽为0.2nm,波形为双曲正割形的半导体光孤子源。
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数据更新时间:2023-05-31
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