MOCVD生长GaN和兰光LED

采用LP-MOCVD方法，在Al2O3衬底上生长了GaN，InGaN，AlGaN，Mg:GaH,Si:GaH以及Zn:GaH，Zn;InGaN单晶薄膜，并对其生长热力学和动力学过程进行了理论和实验研究。对样品的光学、电学、结构缺陷、刻蚀和欧姆接触等特性进行了研究。在此基础上，成功地研制出GaN-based 蓝光LED。目前样管的工作电压为5-10V，工作电流10-20mA，发射波长为425-478nm，光功率为200μW。目前已发表论文15篇（有国家自然科学基金资助标注）。其中，国际学术刊物5篇，国际会议3篇，国内学术刊物7篇，获得国家发明专利一项。有些结果已达到和接近实际应用和国际水平。各项技术指标均超出了项目计划任务书的预定指标。目前，正在向产业化方向努力。