电离辐射诱发突变热点的研究

以两种细菌质粒为实验系统研究了γ射线和低能离子束诱发LacZ基因突变及碱基变异的特异性和突变热点。结果发现：质粒pGEM3Zf（-）和pUC18DNA经γ辐照后其突变率均达1～2×10（-4），比对照至少提高一个量级，离子束组突变度为5×10（-3），比γ射线显然更高；γ射线对pGEM3Zf（-）LacZ基因诱变和测序分析在国内外均属首次报道。值得注意的是：本研究得到的着干结果（当优势突变为单碱基置换，C/G-A/T为主，G的变异最频）与国外pUC18测定结果颇为相似，而明显不同于另一些靶基固（以M13mP10）上所得结果。提示γ射线诱导该LacZ突变可能存在某些位点特异性或热点，分布虽较分散，但显然不是随机分布。结果已在国内核心期刊发表论文4篇，另一文已投稿待发表。