难熔金属氮化物和硅化物同GaN/AlGaN界面高温稳定性及其对器件特性影响
基本信息
批准号：50602044
项目类别：青年科学基金项目
资助金额：25.00
负责人：罗向东
学科分类：
依托单位：中国科学院合肥物质科学研究院
批准年份：2006
结题年份：2009
起止时间：2007-01-01 - 2009-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：尹志军,曹先存,刘敏,刘贵峰,姬长建
关键词：
肖特基接触难熔金属硅化物难熔金属氮化物
结项摘要
GaN宽禁带半导体为高温大功率器件提供了材料接触，但迄今为止，对该材料系统中最为常见的肖特基结在高温下的稳定性至今仍未见系统研究的报道。在该项目申请书中，我们提出对难熔金属氮化物和难熔金属硅化物同GaN和AlGaN肖特基接触界面的稳定性以及各种难熔金属氮化物和硅化物的肖特基接触势垒光电进行系统研究，以期得到可以高温下可靠工作的合适的肖特基接触材料，优化器件的正向电流电压特性和反向电流电压特性，以达
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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