GaN宽禁带半导体为高温大功率器件提供了材料接触,但迄今为止,对该材料系统中最为常见的肖特基结在高温下的稳定性至今仍未见系统研究的报道。在该项目申请书中,我们提出对难熔金属氮化物和难熔金属硅化物同GaN和AlGaN肖特基接触界面的稳定性以及各种难熔金属氮化物和硅化物的肖特基接触势垒光电进行系统研究,以期得到可以高温下可靠工作的合适的肖特基接触材料,优化器件的正向电流电压特性和反向电流电压特性,以达
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数据更新时间:2023-05-31
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