区熔硅单晶中“热生旋涡缺陷“形成机理的研究

基本信息
批准号:68876117
项目类别:面上项目
资助金额:3.00
负责人:李秀梅
学科分类:
依托单位:有研工程技术研究院有限公司
批准年份:1988
结题年份:1990
起止时间:1989-01-01 - 1990-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:高愈尊,孙华英,张福珍
关键词:
区熔热处理旋涡
结项摘要

项目摘要

项目成果
{{index+1}}

{{i.achievement_title}}

{{i.achievement_title}}

DOI:{{i.doi}}
发表时间:{{i.publish_year}}

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数据更新时间:2023-05-31

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