半导体器件(VLSI)金属化布线电徙动动力学研究

随着现代微电子器件向亚微米级发展，极高的电流密度将导致器件金属化布线产生电迁徙失效。本课题深入研究了电流密度、温度及薄膜结构等因素与电徙动之间的关系，提出了较完整的电徙动理论模型，并取得了如下成果：1、国内外首次提出主动抗电徙动措施—回流加固技术，采用双导电层金属化结构，设计最佳回流长度，以降低焦耳热影响，达到较好回流效果，采用加固结构的样品寿命可提高一个数量级。2、在国内外首次提出电流密度指数因子动态测试法，消除焦耳热影响提高测量精度和测试速度。3、本课题从理论和实验上研究了温度及梯度和电流密度及梯度对电徙动的影响，指出合理调整温度与电流密度之间的关系，可明显提高金属化布线寿命，增强器件的可靠性。