利用高分辨电子显微术从原子尺度研究碳化硅,Si与石墨混合粉在球磨过程中缺陷的引入及其对结构转变的影响,在α-SiC中发现一个新的多型体114R,结构类型为[(3,3)4(3,4)2]3形变诱导α-βSiC转变雷1000℃以上,本项目发现室温球磨也可发生这种转变,高分辨像证实这种转变是因球磨引入大量不全位错及其运动的结果,对于尺寸SIC晶粒,引入的位错大量堆集而造成断裂,断裂面附近点阵严重畸变,表明脆性材料断裂并非原子键直接断开,SI与C混合粉球磨后C粉非晶化,Si晶粒中引入大量位错及形变孪晶并部分非晶化,C原子较易扩散进入Si粒子中,发生合金化形成β-SiC
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数据更新时间:2023-05-31
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