半导体 非半导体 ( 超导磁性金属) 低维结构物理

三年多的研究我们在超导体/半导体低维结构物理研究方面，在S-Sm结I-V特性上观察到尚未报道过的，与磁场成正比的振荡现象。为了迅速进入固态量子计算的新领域，对研究方向作了调整。并且从零开始很快在双量子点体系，单量子点固态量子比特，超导电荷量子比特，基于光子辅助隧穿的耦合量子点比特等方面做出了较好的工作。对不同方法制备的C60和金属低维结构的物性及应用进行了深入的研究，获得了首张具有化学键分辩率的C60单分子图象，并发现二维C60晶体表面分子自旋取向关系；发现了纳米双隧道结的量子电容新效应和单电子器件的尺寸效应和可调谐效应；通过单分子操纵构造出基于C60团蔟的具有负微分电阻效应单分子器件，还在Sb诱导C60薄膜的生长、金属C60纳米结构薄膜的制备与表征等方面取得了多项成果。利用分子束外延的方法首次获得在GaAs(001)衬底上CoMn合金的bcc晶体结构；并在实验中发现随着相对组分的变化，FeMn和CoMn合金都存在从铁磁到反铁磁态的转变。同时也建立了FeMn和CoMn合金的组分、晶体结构以及磁性之间的关联。在铜（100）衬底上外延之面心立方铁的磁性，进行了新的测量和研究，提出了其基态磁结构为自旋密度波的新观点。Co/GaAs(001)中 Co薄膜的晶体结构和磁各向异性研究，澄清了前人在这一个问题上的一些模糊认识。对于磁现象中一类奇怪的所谓“负剩磁”效应进行了新的实验和理论研究，比较合理地解释了这一问题。