新型光存储材料的研究是发展信息光存储技术的核心和关键。光致变色材料作为很有潜力的一种光存储材料日益受到关注。新一代光存储技术将使用波长405nm的蓝光作为光源,发展新型蓝光敏感的光致变色材料具有重要意义。传统无机变色材料具有良好的着色态稳定性和可逆性,但只能在紫外光照射下发生变色反应,我们设想基于传统无机变色材料优良的变色性能,以这些材料为主体,通过能带掺杂、分子复合等方法,将其它杂原子或分子引入到材料的晶格中,合成新型变色材料,改变原有能带结构,进而改变光诱导下电子转移的途径,从而使复合材料的响应波长扩展至蓝光区,制备系列可在蓝光照射下变色且性能良好的新型复合光致变色材料,以期可应用于新一代蓝光存储中。通过对复合材料的复合机理、变色反应中电子转移途径以及光致变色性能的研究,为未来新型蓝光存储材料的设计和开发奠定基础。为我国拥有完全自主知识产权的蓝光存储产业提供理论指导和技术支持。
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数据更新时间:2023-05-31
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