原位复合制备改性α-Si:H/c-Si高性能光电薄膜的研究

基本信息
批准号:69776004
项目类别:面上项目
资助金额:12.50
负责人:杜丕一
学科分类:
依托单位:浙江大学
批准年份:1997
结题年份:2000
起止时间:1998-01-01 - 2000-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:巍文霖,寿瑾珲,朱涛,吴建荣,葛金余
关键词:
非晶硅及晶体硅高性能光电薄膜原位复合
结项摘要

通过三年的研究工作,基本贯彻了将光电敏感相间以高电阻率的介质相或光电不敏感相隔离并控制将光电敏感相形成柱状结构以获得各向异性高分辨薄膜成象材料这一创新思想。首先通过确定利用经改性的高阻或可形成不敏感相的介质体系及相应的金属诱导层体系,然后利用“在基团的沉积过程中出现与诱导层岛状结构相应的阴影效应及辅助纵向逐级诱导作用”和“多层烧结及多岛结构逐层诱导晶化”这两种机制,分别在较低温度下制备了高分辨各向异性光电敏感薄膜,获得了典型的取向柱状微结构形貌。这种薄膜及制备技术对高分辨成像薄膜材料的研究与应用将具有重要的科学意义和应用价值,如在制备对可见光及红外光敏感的高分辨成像器件领域中将起到很大作用。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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