半导体材料特性的光学检测技术研究

建立一套光载流子辐射技术和自由载流子吸收技术联合的集成化实验装置,用于测量半导体材料的电子输运特性和监测离子掺杂浓度。利用不同调制频率时光载流子辐射信号及自由载流子吸收信号与探测间距的关系，或不同探测间距时两信号的频率特性，通过多参数拟合同时确定被测半导体材料的四个电子输运参数，即少数载流子寿命、扩散系数及前后表面的载流子复合速度。通过同时测量不同离子掺杂浓度样品的光载流子辐射信号及自由载流子吸收信号，寻求光载流子辐射和自由载流子吸收集成技术监测离子掺杂浓度的最佳灵敏度和检测限。完成的集成技术实验装置能用于测量半导体材料的电子输运参数和监测离子掺杂浓度，为该集成技术的产业化奠定理论和实验基础。由于光载流子辐射和自由载流子吸收集成技术有望用于半导体工艺生产线上监测硅基片的离子掺杂浓度并测量其电子输运参数，该项目研究对我国半导体微电子工业的发展具有重要意义。