铜铟镓硒(CIGS) 薄膜太阳能电池具有光吸收系数高、转换效率高、禁带宽度可调、高稳定性和抗辐射能力强等优点, 已成为第三代太阳能电池领域的研究热点。本项目采用磁控溅射的方法,制备CIGS薄膜太阳电池结构中的无毒Zn1-xMgxO缓冲层,以实现替代目前采用水浴法制备CdS薄膜缓冲层的目标,来克服有毒的重金属Cd对人体与环境的破坏和影响。Zn1-xMgxO薄膜的禁带宽度既在3.37eV~7.9 eV范围内可调,又大于CdS薄膜的禁带宽度(2.4eV),可以增加太阳电池吸收层对短波区的响应。通过调节Mg含量,研究Zn1-xMgxO缓冲层的带隙、晶格常数等参数的变化,寻找Zn1-xMgxO缓冲层和吸收层合适的匹配参数,以减少界面缺陷,降低界面复合;分析缓冲层和吸收层作用机理以及影响载流子产生的机制,确定Zn1-xMgxO缓冲层的最佳匹配结构和组分,提高CIGS薄膜太阳电池的转换效率和该种薄膜太阳
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数据更新时间:2023-05-31
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