位错与微裂纹周围纳观变形场的定量高分辨电子显微分析

位错与微裂纹是固体材料中两种非常重要的微观缺陷，它们在固体的塑性、强度、断裂以及其他结构敏感性问题中起着重要作用，因而人们倾注了很大的努力希望在原子尺度上能准确描述位错与微裂纹的结构及其周围的变形场。但是位错与微裂纹的结构及其周围纳观变形场的实验数据非常缺乏。对位错的理论描述有多种模型并存，这些模型并不一致，甚至有的还相互冲突；对裂纹形核及位错发射机理的认识仍然缺乏纳米尺度实验结果的支持。因此，位错理论和断裂力学的发展急需要对位错与微裂纹的原子排列及其周围几纳米范围内变形场的高精度实验观测。.本研究拟采用高分辨透射电子显微镜观察单晶金、铝及单晶硅、锗中的位错与微裂纹周围的原子排列情况，使用几何相位分析技术和数值云纹技术测定位错芯与微裂纹尖端周围几纳米范围内的位移场和应变场。确定最理想的位错理论模型，探索裂纹形核及位错发射的机理。