硅衬底功率型蓝光LED器件制造的关键技术研究

随着GaN基功率型蓝光LED的迅猛发展，LED节能环保的优点已经在通用照明领域得到显现。硅衬底半导体照明技术是继蓝宝石和碳化硅技术路线后的又一行之有效的技术路线，这一技术路线是由本单位发展起来的，目前其白光效率大于80lm/W，成功地在显示与照明领域得到应用，实现了量产。尽管如此，还有大量科学技术问题没有解决，既有提高内量子效率的外延材料研究，更有提高出光效率和器件可靠性的芯片技术研究。本项目在外延材料不变的情况下，通过芯片制造新技术的探索，进一步提高出光效率30%，获得高效率高可靠性功率型LED芯片。主要研究内容为[1]高稳定性、高反射率且低接触电阻的P型GaN电极材料设计与制备技术研究；[2]释放硅衬底GaN外延层中的张应力的Bonding材料结构设计、制作及其粘接技术研究；[3]高稳定性、低接触电阻的N极性面n型GaN电极材料设计及其制备技术研究。