Si(Ge)纳米晶磁有序形成与机理

Si、Ge自旋电子学材料与现有半导体集成工艺相兼容，引起了广泛的研究兴趣。本研究利用射频共溅射、等离子体化学气相沉积、离子注入和后退火等工艺制备Si (Ge)/SiO2 (SiN)纳米结构的异质结薄膜材料。以镶嵌在SiO2（SiN）中的Si（Ge）纳米晶为对象，通过改变热处理温度和Si (Ge)含量，观察其结构的变化，比较研究Si、Ge纳米晶粒本身、纳米晶粒之间以及不同基质材料SiO2 和SiN对磁性的影响。探索这种未掺杂半导体的磁性产生机制。通过改变制备工艺，试图提高样品的居里温度和饱和磁化强度，深入了解局域磁矩与载流子之间的相互作用、探讨磁结构类型。Si（Ge）纳米晶磁性的研究必将为探索纯半导体材料的磁性带来更多线索，同时会对Si（Ge）基自旋器件的开发和应用奠定一定的理论与实验基础。