解释了稳定化氧化锆本征晶界电阻的物理本质,并指出了复阻抗分析法及单位晶界面积电阻概念的局限性;讨论了稳定剂及杂质对氧化锆晶界离子导电性的影响,稳定剂在晶界的偏聚增大了晶界电阻,而不同类型的杂质则对晶界电阻有不同的影响;探索了以提高晶界离子导电性为目的的氧化锆晶界工程,总结了氧化铝及五氧化二铌对晶界性能的影响,分析了晶界空间电荷层及晶界相对晶界电阻的贡献,发现晶界相在晶界电阻中起主要作用,认为氧化锆晶界工程的重点应该在于晶界相;分析了各类型晶界对氧化锆氧传感器输出电势的影响;研究了外加直流电压及五氧化二铌对氧化锆显微组织、晶体缺陷及电性能的影响。
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数据更新时间:2023-05-31
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