利用PS光电子技术产生宽频带微波脉冲的研究
基本信息
批准号：69078015
项目类别：面上项目
资助金额：3.50
负责人：石顺祥
学科分类：
依托单位：西安电子科技大学
批准年份：1990
结题年份：1993
起止时间：1991-01-01 - 1993-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：杨斌州,詹玉书,许宝西,章越龙,沈丹勋
关键词：
宽频带微波脉冲光导开关
结项摘要
单晶长的机理研究是金刚石薄膜的基础性工作,本课题以微波CVD法制备金刚石薄膜配合扫描电镜,拉曼谱,X射线衍射,STM和高能电子衍射等分析手段,对此作了较深入的分析研究,建立了具有原位处理和实时诊断功能的微波等离子体化学气相沉积系统,为制备金刚石薄膜和进一步进行机理研究提供了条件,开展了单晶生长的理论性研究,指出当衬底的各种物理化学参数与金刚石较为接近时有利于单晶金刚石薄膜的异质外延生长,通过STM得到了不同尺寸划痕处理对金刚石成核生长影响的结果.利用去除硅表面氧化层法可提高金刚石薄膜的成核密度,以C-BN为基底成功地制备出与基底取向一致的质量较好的单晶金刚石薄.
项目摘要
项目成果
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暂无此项成果
数据更新时间：2023-05-31
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