高频、高Q值、高稳定性SAW谐振器多层膜材料研究

基本信息
批准号:50972105
项目类别:面上项目
资助金额:37.00
负责人:杨保和
学科分类:
依托单位:天津理工大学
批准年份:2009
结题年份:2012
起止时间:2010-01-01 - 2012-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:熊瑛,丁燕红,李晓伟,苏林,李翠平,孙大智
关键词:
金刚石膜声表面波cBN薄膜类金刚石
结项摘要

"类金刚石(DLC)/叉指电极(IDT)/c-BN/金刚石"多层膜研究,对高频、高Q值、TCF≈0的SAW谐振器具有较大意义,对高灵敏度、高分辨率、高稳定性SAW传感器的研制将起到很大的促进作用;同时,对高频窄带SAW滤波器、高频时钟恢复器研制也将起到促进作用。"DLC/IDT/c-BN/金刚石"多层膜材料研究,国内外未见报道。..用弹性波场的广义Green函数和表面有效介电常数法,模拟计算"压电薄膜/金刚石"多层薄膜体系SAW性能,给出多层膜结构~瞬态压电激发产生相互耦合的电磁波和弹性波场严格分析,给出声表面波激发、传播、衍射和散射的严格分析。国内外未见报导。

项目摘要

本课题用用弹性波场的广义Green函数和表面有效介电常数法模拟计算了c-BN/diamond多层膜基片声表面波特性,模拟计算证实c-BN/diamond多层膜基片中的声表面波为SH型声表面波,这种波是由位移场的水平剪切分量u2与电势φ耦合而成。c-BN/diamond多层膜中的SH型声表面波相速度很高、频散很小,可制成高频、高Q值、高稳定性声表面波谐振器。c-BN/diamond复合基片中SH型声表面波的振幅随深度衰减慢,非常适合气体、液体、生物等传感器的应用。. 在Ar、O2、H2、CH4四种混合气氛中,制备了致密、均匀、晶粒细小(100~150nm)、同时满足高的高弹性模量的金刚石膜。在以氢终止的衬底上生长了c-BN薄膜,发现在以氢终止的衬底上比较容易得到高品质的c-BN薄膜。. 采用带PFM模块的AFM在室温下对c-BN薄膜进行了垂直和水平压电响应成像,测试了垂直于膜面的和膜平面内压电振幅图像以及压电相位图像,显示了c-BN薄膜微区的压电强度和压电均匀性。在c-BN薄膜表面低温制备了频率温度系数和c-BN材料相反的类金刚石膜,使SAW谐振器更容易找到TCF为0的频点。并以类金刚石/c-BN/金刚石多层复合膜为基片设计了适用于传感器的声表面波-双通道-双端口谐振器叉指换能器版图。

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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