基于控制第二相定向析出提高FeMnSi基合金记忆效应的研究

本项目在申请人发现通过室温拉伸变形后时效，能使Cr23C6定向析出，大幅度提高FeMnSi基合金形状记忆效应的基础上，研究在两种不同层错能的合金体系中，采用轧制和拉伸两种不同的变形方式，通过调整变形温度和变形量来获得不同方向，数量及分布的马氏体/奥氏体界面和层错组态，动态原位观察不同时效过程中第二相（Cr23C6和NbC）形核位置和长大与不同组态马氏体/奥氏体界面和层错之间的关系，认识第二相定向析出的机制和控制因素。在此基础上研究第二相的种类，析出的方向性，数量和尺寸，及其产生的弹性应力场对奥氏体基体中层错、位错等亚结构的影响，特别是对应力诱发马氏体相变及马氏体界面移动可逆性的影响规律，及其与形状记忆效应、恢复应力，力学性能和耐腐蚀性能的关系，为开发少或免训练高可恢复变形量的新型FeMnSi基形状记忆合金奠定理论基础，为其应用作出贡献，具有显著的学术和工程意义。