面阵列互连焊点的热迁移研究

基本信息
批准号:60876070
项目类别:面上项目
资助金额:32.00
负责人:吴懿平
学科分类:
依托单位:华中科技大学
批准年份:2008
结题年份:2011
起止时间:2009-01-01 - 2011-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:安兵,陈明辉,陶媛,奚弘甲,唐敢然
关键词:
倒装芯片封装温度梯度无铅焊料合金热迁移界面反应
结项摘要

在高密度面阵列电子封装中广泛使用了Sn基合金焊料。由于大电流、高功率等因素的影响,在芯片与基板的互连结构中会产生大量的焦耳热,从而引起互连结构温度的显著上升;此外,芯片和基板的不同散热条件导致了互连结构中存在较大的温度差、形成很大的温度梯度,诱发焊料中的金属原子沿着温度梯度反方向进行"热迁移"。热迁移使焊料凸点的成分发生了不均匀的分布,降低了凸点互连结构的可靠性,最终导致互连失效。因此,热迁移成为无铅封装材料可靠性研究的热点之一。本项目以无铅Sn基合金为对象,采用热力学分析与计算、材料微观分析等方法,弄清凸点互连结构的热迁移过程中原子迁移的条件、路径以及其界面反应;建立热迁移失效的原子迁移模式、机理和数学模型,计算出无铅焊料热迁移的关键常数-传递热Q*,进而评估热迁移寿命,提出抑制热迁移的方法。本项目的研究成果对揭示热迁移的机理有重要意义,具有较高的学术研究价值。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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