微结构的纳缺陷激光测试技术的研究

基本信息
批准号:59575078
项目类别:面上项目
资助金额:11.00
负责人:尤政
学科分类:
依托单位:清华大学
批准年份:1995
结题年份:1997
起止时间:1996-01-01 - 1997-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:尤政,田芊,程军,胡庆英
关键词:
微结构的体缺陷激光扫描层析技术纳米
结项摘要

本项目对光弹性散射理论即瑞利散射定律、米氏理论和广义洛伦兹一米氏理论等进行了深入系统的研究,并在此基础上,创造性地提出了一种基于近红外激光散射原理、在垂直于入射光的方向接收散射光并由散射光的分布来判断微体缺陷大小的半导体材料微体缺陷无损检测新途径,设计研制了一套基于近红外激光散射的半导体材料微体缺陷激光扫描层析检测系统。通过计算机烽值仿真,对微体缺陷的大小和相对折射率对散射光分布的影响进行了研究,对散射光分布的特征进行了提取,提出了利用散射光的分布来判断微体缺陷的大小量级的新方法与理论并利用所研制检测系统对半导体样品进行检测。它对发展我国的微型机电系统可靠性的研究有重要意义。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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