氮化铜是是一种半导体材料,具有立方反ReO3晶格结构,光学带隙在 1.2-1.8 eV左右,室温下相当稳定,但其热分解温度较低,可实现单质铜在氮化铜介质中的有序分布,形成铜 /氮化铜纳米有序结构的复合材料,为"超材料"的制备提供了一种可能实现的途径。本项目针对氮化铜薄膜的低温分解效应与纳米结构复合材料的制备原理与方法进行研究,研究利用原子层沉积(ALD)技术实现氮化铜大面积可控生长的成膜机理,探寻薄膜的性能以及与衬底之间结合强度的关联特性,同时利用氮化铜的低温分解和飞秒激光,设计和制备二维和三维纳米结构"超材料",并对飞秒激光与氮化铜的作用机理、复合材料的界面特性等基础问题进行研究。研究结果为利用飞秒激光在氮化铜内部形成纳米有序结构复合材料提供制备原理和方法,并为新型"超材料"的设计与制备提供理论依据,有广阔的应用前景。
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数据更新时间:2023-05-31
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